Sisukord
57 suhted: Aatom, Absorbent, Adhesioon, Alumiinium, Anoksiline keskkond, Õhuke tahkiskile, Dielektrik, Difusioon, Dipool, Elastsusmoodul, Elektriahel, Elektrijuht, Elektrisignaal, Elektrivälja tugevus, Elektrokeemiline katmine, Eripind, Eritakistus, Fluor, Fotolitograafia, Hüdrofoobsus, Integraallülitus, Isolaator, Kõrge-k-dielektrik, Keemiline ühend, Keemiline sadestamine aurufaasist, Keemiline side, Kiip, Kiirus, Kristallstruktuur, Läbilöök, Lõõmutamine, Lekkevool, Lisand (keemia), Mahtuvus, Mehaanika, Metüülrühm, Moore'i seadus, Orgaanilised ühendid, Pindala, Plasma, Polaarsus, Polümeerid, Polümeeride keemia, Pooljuht, Poorsus, Räni, Ränidioksiid, Süsinik, Suhteline dielektriline läbitavus, Takistus, ... Laienda indeks (7 rohkem) »
Aatom
Aatomiks (vanakreeka sõnast ἄτομος (átomos) 'jagamatu') nimetatakse väikseimat osakest, mis säilitab talle vastava keemilise elemendi keemilised omadused.
Vaata Madal-k dielektrik ja Aatom
Absorbent
Absorbent ehk absorbeeriv aine on mingit ainet imav (nagu käsn imab vett) materjal.
Vaata Madal-k dielektrik ja Absorbent
Adhesioon
Adhesioon on molekulaarjõududest (adhesioonijõududest) tulenev eri materjalidest kehade pindade või eri tüüpi osakeste (molekulide või aatomite) üksteise külge kinnijäämine.
Vaata Madal-k dielektrik ja Adhesioon
Alumiinium
Alumiinium on keemiline element järjenumbriga 13.
Vaata Madal-k dielektrik ja Alumiinium
Anoksiline keskkond
Anoksiline keskkond ehk hapnikuvaba keskkond ehk hapnikuta keskkond on elukeskkond, kus puudub vaba hapnik, kuid hapnik võib esineda keemilistesse ühendeisse seostatuna, näiteks sulfaatides, nitraatides.
Vaata Madal-k dielektrik ja Anoksiline keskkond
Õhuke tahkiskile
Õhuke tahkiskile on tahkest ainest koosnev õhuke materjalikiht, mis on moodustunud või adsorbeerunud teise materjali pinnale ning mille paksus varieerub mõnest nanomeetrist (mono-kiht) mikromeetrini.
Vaata Madal-k dielektrik ja Õhuke tahkiskile
Dielektrik
Dielektrik ehk isoleeraine on väga suure eritakistusega (>108 Ω∙m) aine.
Vaata Madal-k dielektrik ja Dielektrik
Difusioon
Difusioon (ladina keele sõnast diffusio 'levimine, hajumine, laialivalgumine') ehk difundeerumine on aineosakeste soojusliikumisest tulenev loomulikult kulgev protsess, mille tagajärjel osakeste füüsikalise segu komponendid jagunevad tasakaaluliselt.
Vaata Madal-k dielektrik ja Difusioon
Dipool
Dipool (kreeka keele sõnadest dis kaks korda + polos telg, poolus) on kahest võrdsest lähestikku asetsevast, kuid vastandmärgilisest elektrilaengust või kahest magnetpoolusest (põhja- ja lõunapoolusest) koosnev süsteem.
Vaata Madal-k dielektrik ja Dipool
Elastsusmoodul
Elastsusmoodul on suurus, mis näitab mehaanilist pinget rakendades tahke keha, vedeliku või gaasi vastupanu võimet elastsetele deformatsioonidele.
Vaata Madal-k dielektrik ja Elastsusmoodul
Elektriahel
Vooluahel pingeallikast ''U''0 ja takistitest ''R''1 ning ''R''2:ülal ‒ takistid jadaühenduses,all ‒ takistid rööpühenduses Elektriahel ehk vooluahel on aktiiv- ja passiivelementide kogum, milles võib kulgeda elektrivool.
Vaata Madal-k dielektrik ja Elektriahel
Elektrijuht
Elektrijuht ehk juht on kasutusel kahes tähenduses.
Vaata Madal-k dielektrik ja Elektrijuht
Elektrisignaal
Elektrisignaal on ajas muutuv elektriline suurus (enamasti elektrivool või -pinge), mis kannab informatsiooni, vaadeldaval juhul andmeid, mida saab töödelda, salvestada ja edastada.
Vaata Madal-k dielektrik ja Elektrisignaal
Elektrivälja tugevus
Elektrivälja tugevus ehk elektriväljatugevus on füüsikaline suurus, mis väljendab elektrivälja võimet avaldada väljapunkti asetatud elektrilaengule jõudu.
Vaata Madal-k dielektrik ja Elektrivälja tugevus
Elektrokeemiline katmine
Elektrokeemilise katmise masin PCB-de katmiseks vasega Elektrokeemiline katmine ehk elektrosadestamine on protsess, milles kasutatakse lahustunud metalli katioonide redutseerimiseks elektrivoolu ja mille tagajärjel moodustub elektroodile koherentne metalli kiht.
Vaata Madal-k dielektrik ja Elektrokeemiline katmine
Eripind
Eripinna all mõistetakse 1 grammi kõigi mulla koostisosade välispinna summat ruutmeetrites.
Vaata Madal-k dielektrik ja Eripind
Eritakistus
Eritakistus ehk elektrieritakistus on füüsikaline suurus, mis iseloomustab teatud kindlast materjalist elektrijuhi võimet avaldada teda läbivale voolule takistust.
Vaata Madal-k dielektrik ja Eritakistus
Fluor
Fluor on keemiline element järjenumbriga 9.
Vaata Madal-k dielektrik ja Fluor
Fotolitograafia
Fotolitograafia ehk optiline litograafia on pooljuhttehnoloogia protsess, kus kujutis kantakse alusmaterjali ehk substraadi pinnale.
Vaata Madal-k dielektrik ja Fotolitograafia
Hüdrofoobsus
Veetilga poolitamine superhüdrofoobse noaga Hüdrofoobsus on aine omadus, mille puhul ainel puudub vastasmõju veega.
Vaata Madal-k dielektrik ja Hüdrofoobsus
Integraallülitus
Integraallülitus (ingl k integrated circuit, lühend IC) on elektroonikalülitus, mis valmistatakse väikesel räniplaadil lülituse elementide integreerimise (lõimimise) teel lahutamuks tervikuks ühtses pooljuhttehnoloogia protsessis.
Vaata Madal-k dielektrik ja Integraallülitus
Isolaator
Keskpinge- (6–35 kV) õhuliini portselanisolaator Isolaator ehk elektriisolaator on elektriseadme element pingestatud juhtmete ja seadmeosade eraldamiseks kandekonstruktsioonidest, millele nad on kinnitatud.
Vaata Madal-k dielektrik ja Isolaator
Kõrge-k-dielektrik
Kõrge-k-dielektrik (ingl high-κ dielectric) kirjeldab materjale, mille suhteline dielektriline läbitavus _\mathrm on suurem kui ränidioksiidil (εr.
Vaata Madal-k dielektrik ja Kõrge-k-dielektrik
Keemiline ühend
Keemiline ühend on keemiline aine, mis koosneb kahest või enamast keemilisest elemendist, mis on omavahel seotud keemiliste sidemetega.
Vaata Madal-k dielektrik ja Keemiline ühend
Keemiline sadestamine aurufaasist
Alalisvoolu plasma (violetne) kiirendab süsiniknanotorude kasvu PECVD aparaadis Keemiline sadestamine aurufaasist (inglise keeles Chemical vapor deposition ehk CVD) on keemiline protsess, mida kasutatakse suure puhtusega materjalide tootmiseks.
Vaata Madal-k dielektrik ja Keemiline sadestamine aurufaasist
Keemiline side
Keemiline side on side, mis ühendab aatomeid üksteisega.
Vaata Madal-k dielektrik ja Keemiline side
Kiip
trükkplaadil Mitmesuguste väljaviikudega kiipe Kiip (ka mikrokiip) on väike räniplaat, mille pindkihis on pooljuhttehnoloogia kohaselt moodustatud integraallülitus.
Vaata Madal-k dielektrik ja Kiip
Kiirus
Kiirus üldisemas mõttes tähendab muutumiskiirust – suurust, mis näitab ajaühikus toimuvat muutust, näiteks keemilise reaktsiooni kiirust, temperatuuri või õhurõhu muutumise kiirust.
Vaata Madal-k dielektrik ja Kiirus
Kristallstruktuur
Kristallstruktuur on aine ehituse laad, mis seisneb aatomite korrastatud ja regulaarselt korduvas paigutuses.
Vaata Madal-k dielektrik ja Kristallstruktuur
Läbilöök
Läbilöök õhus Läbilöök on dielektriku järsk muutumine elektrijuhiks piisavalt tugeva elektrivälja toimel.
Vaata Madal-k dielektrik ja Läbilöök
Lõõmutamine
Lõõmutamine on terase kuumutamine üle kriitilise punkti, hoidmine nimetatud temperatuuril ja aeglane jahutamine.
Vaata Madal-k dielektrik ja Lõõmutamine
Lekkevool
Lekkevool (ing leakage current) on elektrivool läbi vooluraja, mis pole voolu juhtimiseks ette nähtud.
Vaata Madal-k dielektrik ja Lekkevool
Lisand (keemia)
Lisand võib olla ka soovimatu. Näiteks siin peaks saagiseks olema valge kristalne aine, kuid reaktsioonisegu liigne kuumutamine tekitas juurde hulgaliselt kollase värvusega lisandit. Lisand on teine aine, mille molekulid esinevad põhiliselt ühe aine molekulidest koosnevas materjalis või võõras keemiline element, mille aatomid asendavad aineomaseid mõne keemilise aine kristallvõres.
Vaata Madal-k dielektrik ja Lisand (keemia)
Mahtuvus
Elektrimahtuvus (lühemalt mahtuvus) on füüsikaline suurus, mis iseloomustab elektrit juhtiva keha või kondensaatori võimet salvestada elektrilaengut.
Vaata Madal-k dielektrik ja Mahtuvus
Mehaanika
Mehaanika (ka mehhaanika; vanakreeka keele väljendist μηχανική τέχνη, mekhanikē tekhnē 'masinate ehitamise kunst') on füüsika haru, mis uurib tahkete kehade, vedelike ja gaaside liikumist, selle liikumise põhjusi ja tagajärgi.
Vaata Madal-k dielektrik ja Mehaanika
Metüülrühm
Metüülrühm Metüülrühm on metaani molekulile, milles puudub üks vesiniku aatom, vastav ühevalentne rühm.
Vaata Madal-k dielektrik ja Metüülrühm
Moore'i seadus
Protsessoris olevate transistoride arv ja aeg. Tuleb tähele panna, et tegu on logaritmilise skaalaga; punktiirjoon vastab eksponentsiaalsele kasvule, kus transistoride arv kahekordistub iga kahe aastaga Moore'i seadus põhineb arvutiriistvara ajalool ning ütleb, et mikrokiibil olevate transistoride arv kahekordistub iga kahe aasta järel.
Vaata Madal-k dielektrik ja Moore'i seadus
Orgaanilised ühendid
Orgaanilised ühendid on keemiliste ühendite klass, mille molekulides esinevad lühemad (alates ühest) või pikemad süsinikuaatomitest moodustunud ahelad.
Vaata Madal-k dielektrik ja Orgaanilised ühendid
Pindala
Pindala on pinna (või pinna üldistuse) või selle osa teatavat mõõtu väljendav arv.
Vaata Madal-k dielektrik ja Pindala
Plasma
elementidest plasma koosneb Füüsikas ja keemias tähendab plasma agregaatolekut, mis sarnaneb gaasiga, kuid kus teatud hulk osakestest on ioniseeritud.
Vaata Madal-k dielektrik ja Plasma
Polaarsus
Polaarsus on mingi süsteemi, keha vm omadus, mis võimaldab neil vastaspooli või -suundi.
Vaata Madal-k dielektrik ja Polaarsus
Polümeerid
Polümeerid on kõrgmolekulaarsed ühendid, mille makromolekulid koosnevad kovalentsete sidemetega seotud korduvatest struktuuriühikutest – monomeersetest lülidest.
Vaata Madal-k dielektrik ja Polümeerid
Polümeeride keemia
Polümeeride keemia on keemia haru, mis tegeleb polümeeride ja makromolekulide sünteesi ja omaduste uurimisega.
Vaata Madal-k dielektrik ja Polümeeride keemia
Pooljuht
Pooljuht on aine, mille elektrijuhtivus on halvem kui elektrijuhil ja parem kui dielektrikul.
Vaata Madal-k dielektrik ja Pooljuht
Poorsus
visualiseerida. Mihkel Kree foto Poorsus ehk urbsus on aine mahutavuse omadus, mille põhjuseks on varjatud (silmaga mittenähtav) tühimike (õõnsuste) olemasolu.
Vaata Madal-k dielektrik ja Poorsus
Räni
Räni Räni on keemiline element Mendelejevi tabelis aatomnumbriga 14 ja sümboliga Si.
Vaata Madal-k dielektrik ja Räni
Ränidioksiid
Kvartsist küvett Pulberjas ränidioksiid Ränidioksiid (keemiline valem SiO2) on keemiline ühend, mis ei esine molekulaarsel kujul, vaid tahkisena, kus ühe räni aatomi kohta on kaks hapniku aatomit.
Vaata Madal-k dielektrik ja Ränidioksiid
Süsinik
allotroopi: a) teemant, b) grafiit, c) heksagonaalne teemant, d) C60 fullereen, e) C540, f) C70, g) amorfne süsinik ja h) süsiniknanotoru Süsinik (keemiline tähis C, ladina Carbonium) on mittemetalliline keemiline element järjenumbriga 6.
Vaata Madal-k dielektrik ja Süsinik
Suhteline dielektriline läbitavus
Suhteline dielektriline läbitavus ehk keskkonna dielektriline läbitavus on dimensioonitu füüsikaline suurus, mis näitab, mitu korda on elektrivälja tugevus homogeenses materjalis väiksem väljatugevusest vaakumis.
Vaata Madal-k dielektrik ja Suhteline dielektriline läbitavus
Takistus
Takistus on elektrotehnikas füüsikaline suurus, mis iseloomustab juhi omadust avaldada elektrilaengute liikumisele takistavat mõju.
Vaata Madal-k dielektrik ja Takistus
Tetraeedriline süsinik
Tetraeedriline süsinik on süsiniku aatom, mille kovalentsed sidemed on suunatud tetraeedri tippudesse.
Vaata Madal-k dielektrik ja Tetraeedriline süsinik
Tihedus
Tihedus on füüsikaline suurus, mis näitab aine massi ruumalaühikus.
Vaata Madal-k dielektrik ja Tihedus
Transistor
Transistor (ingl transfer üle kandma + resistor takisti) on kolme väljaviiguga pooljuhtseadis ehk triood elektriahelate lülitamiseks ja elektrisignaalide võimendamiseks.
Vaata Madal-k dielektrik ja Transistor
Vaakum
Vaakum ehk vaakuum (ladina vacuum 'tühi') on olek, kui mingis ruumis puudub aine (sealhulgas õhk ja muud gaasid).
Vaata Madal-k dielektrik ja Vaakum
Vask
Looduslikud vasekristallid Oksüdeerunud pinnaga eheda vase tükk Vask (ladina keeles cuprum; tähis Cu) on keemiline element järjenumbriga 29.
Vaata Madal-k dielektrik ja Vask
Vesinik
Vesinik (keemiline tähis H, ladina Hydrogenium) on keemiline element järjenumbriga 1.
Vaata Madal-k dielektrik ja Vesinik
Vesinikside
Vesinikside on täiendav keemiline side, mille moodustab ühe molekuli negatiivse osalaenguga elektronegatiivse elemendi (F, O, N) aatom teise molekuli positiivse osalaenguga vesinikuaatomiga.
Vaata Madal-k dielektrik ja Vesinikside